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企業一般在單晶爐內設置冷卻結構

2024-02-25


    單(dan)晶(jing)(jing)(jing)爐(lu)是利用石墨加熱器在惰性氣(qi)體(ti)(主要是氮氣(qi)和(he)氦氣(qi))環境中熔(rong)化多晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)等(deng)多晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)材料,采用齊拉斯(si)基法(fa)生(sheng)長(chang)無位(wei)錯單(dan)晶(jing)(jing)(jing)的一種設備。它的內部結構(gou)*其(qi)復雜(za)。但是單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)棒(bang)的生(sheng)產(chan)對環境要求非常高(gao)(gao)。如果爐(lu)體(ti)溫度過高(gao)(gao),爐(lu)體(ti)會(hui)變形,影響(xiang)設備尺寸和(he)單(dan)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)棒(bang)的生(sheng)長(chang)。如果爐(lu)體(ti)長(chang)期處于高(gao)(gao)溫環境的工作狀(zhuang)態,爐(lu)體(ti)上會(hui)出現裂紋(wen),對爐(lu)體(ti)造成損壞,降低(di)爐(lu)體(ti)的使用壽(shou)命。

   為了降(jiang)低單(dan)晶(jing)爐(lu)工作過(guo)程中的(de)溫(wen)度(du),一般(ban)在單(dan)晶(jing)爐(lu)內設置冷卻(que)結(jie)構(gou),通過(guo)冷卻(que)水(shui)循環(huan)系(xi)統將單(dan)晶(jing)爐(lu)內的(de)熱量帶走(zou),從而降(jiang)低單(dan)晶(jing)爐(lu)內的(de)溫(wen)度(du)。但是(shi),水(shui)冷卻(que)系(xi)統需要配備(bei)(bei)冷水(shui)機組、冷卻(que)池、冷卻(que)水(shui)泵、熱交(jiao)換器(qi)等設備(bei)(bei)。整個系(xi)統結(jie)構(gou)復雜,占用空(kong)間大(da),對水(shui)質和流量有特殊要求(qiu)。安裝和使用困難。

半(ban)(ban)導(dao)體(ti)工藝設備為(wei)大規模半(ban)(ban)導(dao)體(ti)制(zhi)造提供了制(zhi)造基礎(chu)。描繪電子(zi)產(chan)業未來的摩爾(er)定律,將導(dao)致未來半(ban)(ban)導(dao)體(ti)器件(jian)的集(ji)成(cheng)化(hua)和小(xiao)型化(hua)程度更高,功能(neng)更強。

單晶爐

單晶爐(lu)是一種全自動直拉(la)單晶生長爐(lu),是利用(yong)石墨(mo)加(jia)熱器在惰性氣(qi)體(氮氣(qi)、氦氣(qi))環(huan)境中熔化多晶硅等多晶材料,采(cai)用(yong)直拉(la)法(fa)生長無(wu)位錯單晶的設(she)備。

單晶硅爐(lu)的模型(xing)有(you)兩種(zhong)命名方法,一種(zhong)是進(jin)料量(liang),另一種(zhong)是爐(lu)膛(tang)直徑。如120、150等型(xing)號(hao)由進(jin)料量(liang)決(jue)定,85爐(lu)指的是主爐(lu)筒直徑。

單晶硅爐的主(zhu)體由主(zhu)機(ji)、加熱電源和計算機(ji)控制(zhi)系統組成。


制冷機主要應用于空調冷卻系統、冷凍系列、注塑、制革、發泡、發電、汽輪機、鋁型材加工、空壓機、工業水冷卻等領域,應用最多的為空調冷卻、冷凍、塑膠化工行業。
工業生產或制冷工藝過程中產生的廢熱,一般要用冷卻水來導走。冷卻塔的作用是將挾帶廢熱的冷卻水在塔內與空氣進行熱交換,使廢熱傳輸給空氣并散入大氣中。
例如:火(huo)電(dian)廠內,鍋(guo)(guo)爐將水(shui)加熱(re)(re)成高(gao)溫高(gao)壓蒸汽,推動汽輪(lun)機(ji)(ji)做(zuo)功使(shi)(shi)發電(dian)機(ji)(ji)發電(dian),經汽輪(lun)機(ji)(ji)作功后(hou)的廢(fei)汽排入冷(leng)凝器,與冷(leng)卻(que)水(shui)進(jin)行熱(re)(re)交(jiao)換凝結成水(shui),再用水(shui)泵打(da)回鍋(guo)(guo)爐循環使(shi)(shi)用。這一(yi)過程(cheng)中乏汽的廢(fei)熱(re)(re)傳給(gei)了冷(leng)卻(que)水(shui),使(shi)(shi)水(shui)溫度升(sheng)高(gao),挾帶(dai)廢(fei)熱(re)(re)的冷(leng)卻(que)水(shui)。


單晶硅片的工藝流程

硅(gui)(gui),地球(qiu)上有很多含(han)硅(gui)(gui)的(de)東(dong)西。似(si)乎90%以(yi)上都是晶(jing)硅(gui)(gui),也就(jiu)是單晶(jing)硅(gui)(gui)。太陽能級硅(gui)(gui)的(de)純度在6N以(yi)上。

首先(xian)是(shi)石頭(tou)(tou)(所(suo)有(you)的石頭(tou)(tou)都含(han)有(you)硅)。將石頭(tou)(tou)加(jia)熱至液態(tai),再加(jia)熱至氣(qi)(qi)態(tai)。讓氣(qi)(qi)體(ti)(ti)通(tong)過一個密封(feng)的大(da)(da)盒(he)子(zi)(zi)。盒(he)子(zi)(zi)里(li)有(you)N個以上的子(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)用(yong)于加(jia)熱,兩(liang)端用(yong)石墨夾緊。當氣(qi)(qi)體(ti)(ti)穿過盒(he)子(zi)(zi)時,子(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)會將其中一種氣(qi)(qi)體(ti)(ti)吸收到子(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)上,子(zi)(zi)晶(jing)體(ti)(ti)就會逐漸變厚。因為氣(qi)(qi)體(ti)(ti)變成(cheng)固體(ti)(ti),很(hen)慢,大(da)(da)約一個月(yue)左右,盒(he)子(zi)(zi)里(li)有(you)很(hen)多(duo)長初級多(duo)晶(jing)硅。

單晶硅芯片(pian)由此進入生產(chan)過程:

1. 酸(suan)洗:用(yong)稀硝酸(suan)HNO3進行(xing)清洗,去除精煉過程中(zhong)產生的表面雜質和四氯化(hua)硅(gui)。

2. 清(qing)洗:清(qing)洗酸洗后(hou)硅材料的殘留雜質。

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